![]() Multiple simultaneous access memory
专利摘要:
公开号:WO1984002222A1 申请号:PCT/JP1983/000418 申请日:1983-11-24 公开日:1984-06-07 发明作者:Naruhito Suzuki 申请人:Naruhito Suzuki; IPC主号:G11C8-00
专利说明:
[0001] i 明 細 [0002] 複数同時アク セス型記憶装置 [0003] 技 術 分 野 [0004] 本発明は、 複数同時アクセス型記憶装置に関し、 特に 2以上の [0005] 5 ァ ドレスを用い同時に並行してアク セスすることによ ] 、 記憶回 路のマルチ処理ゃデータ転送の高速化を可能にした記憶装置に関 するものである。 [0006] 背 景 .技 術 [0007] 記憶素子は、 少るく と も 1つの入力線を備え、 これによ ] 記憶 素子の次に取るべき状態を決定し、 また少¾く とも 1つの出力線 を備え、 これによ ]9現在どの状態にあるかを知らせるようになつ ている。 これは、 半導体記憶素子をマ ト リ クス状に配列して構成 されたラ ンダム · アク セス · メ モ リは勿論のこと、 磁気ディスク、 磁気ドラ ム、 磁気テー プ等のシーケ ンシャル · アクセス · メ モ リ においても広い意味で上記のように定義できる。 以下、 記憶素子 の代表的 ¾ものとして、 マ ト リ クス配列の R S フ リ ップ · フロッ ブを例にとって説明することにする。 [0008] 第 1図は、 従来の記憶装置の基本構成図である。 [0009] 記憶装置 1が例えば 4 X 4 ビッ トの記憶素子から構成されてい る場合、 ァ ドレス信号 4 ビッ トのうちの下位 2 ビッ トを; Xデコー ダ 2に入力して 22== 4通] の X方向の指定を行い、 上位 2 ビッ ト を Υデコーダ 3に入力して 4通])の Υ方向の指定を行い、 指定さ れた X列と Υ行の交叉した位置の記憶素子を選択する。 同時に、 読取 i (] )または書込み^の指定を行い、 書込み^の場合には書込 むべきデータを入力し( DATA i n )、読取 ])の場合には読出され [0010] O PI IPO たデータを出力する ( DATA out )。このように、 従来の記憶装 置では、 同時には 1つのァ ドレス信号しか指定する'ことができ-ず、 したがって 4 X 4 ビッ トの記憶素子のうち 1個のみがアク セスさ れて、 謇込みまたは読取] が行われている。 ¾ぉ、 従来、 2つの パスに接続されたデュアル · ボー ト · メ モ リ と睜ばれる記憶装置 では、 2つのパスから独立して了 ドレスが指定されて るが、 こ の場合には、 マルチプレクサによって 2つのア ドレス信号の入力 を時系列信号に配列し直してから記憶素子に了ク セスしているの で、 同時アク セスではなく、 シ リ アル ' アクセスである。 [0011] 第 2図は、 第 1図の記憶装置の内部構成図である。 [0012] 従来の 4 X 4 ビッ ト記憶装置は、 第 2図に示すよ うに、 1 6個 の記憶素子 1 1が配置され、 各記憶素子 1 1は Y方向の了 ドレス 線( 0〜 3 ) と X方向のア ドレス線( 0〜 3 :)の各 1本ずつに接 続され とともに、 入出力データ線に接続されている。 ¾ぉ、 第 2図に示すように、 読取 Z書込み制御線の信号によって、 読取 D のときには入出力データ線の出力を有効にし、 書込みのときには 入力を有効にする。 各記憶素子 1 1内では、 Xアドレスと Y了 ド レスをア ン ド * ゲー ト 1 3に入力して、 選択されたとき出力の" Γ 信号によ ] フリ ップ · フロップ 1 2を起動し、 同時に読取 ])、 書 込み指定によ ]J セ ッ トまたはリ セ ッ ト出力を取 ] 出すか、 セ ッ ト またはリ セッ ト状態に設定する。 [0013] 第 3図は、 第 2図のフリ ップ · フ ロ ッ ブ内部の論理図である。 [0014] 前述のように、 X了 ドレス信号と Yァ ドレス信号をア ンド · ゲ ー ト 1 3に入力し、 このフリ ツブ · フロッブ 1 2が選択されたと き、 ア ン ド · ゲ一 ト 1 3力 ら -1 - 出力がフリ ップ · フ ロ ッ ブ 1 2 [0015] O PI WIPO のナン ド《 ゲー ト 1 4 と 1 5に送られる。 ナン ド ' ゲー ト 1 6 と 1 7 とでラツチ回路が構成されてお 、 ナ ン ド * ゲー ト 14, 15 のデータ書込み用入力段と、 アン ド · ゲー ト 1 8のデータ読取 用出力段がラツチ回路の前後に接続される。 [0016] 読取])のときには、 読取 指定によって入出力データ線は出力 線と ¾るので、 入力信号 D A T A I Nはカッ トオフ状態と ] 、 出力信号 DAT A 0 ϋΤは記憶素子の記憶内容によ i '1' または "(Tが出力される。 [0017] 一方、 書込みのときには、 書込み指定によって入出力データ線 は入力線とるるので、 入力信号 PATA I Nは書込むべき "1" ま たは " 0" であ 、 出力信号 DATA OUTはいま書込まれた記憶 内容が出力される力 入出力データ線には出力されずカツ トオフ される。るお、フ リ ップ · フロッブ 1 2の動作は、 次のよ うに ¾る < 非選択時 ゲー ト 1 4出力 '1" ゲー ト 1 6出力 '1" [0018] ゲー ト 1 5 / "1" ゲー ト 1 7 I, "0" [0019] ゲ ' 卜 6出力 "0; [0020] -0" ゲ 7 // "1' [0021] 書込み時 0" ゲ 、ト 6出力 " Γ [0022] ゲ 卜 7 I' "0, [0023] ゲ 6出力 " 0' [0024] 0" ゲ h 7 II " 1 ' [0025] 出し時 ゲ 卜 6出力 " 1' [0026] ゲ 卜 7 // "0" [0027] ゲ ' 6出力 "(T [0028] "0" ゲ ' 卜 7 II " 1 ' i このようる従来の記憶装置では、 アクセス要求が殺到しても、 実際にアクセスできるのは同時には 1つだけであるため、 処理時 ' 間が遅くなるとともに、 記憶装置を C P Uと入出力装置等で使い 分けする場合、 一方が占有すると他方は待ち合わせと ¾ ]3、 使用 5能率が低下することに る。 [0029] 本発明の目的は、 このよう 従来の欠点を改善するため、 複数 の同時アクセスを並行して行うことによ ])、 記憶装置のマルチ処 理、 データ転送の高速化を可能にし、 かつ入出力装置によるバッ ファ転送を C P ϋ処理から独立して行う ことも可能にした複数同0時アクセス型記憶装置を提供する ことにある。 [0030] 発 明 の 開 示 [0031] 本発明の複数同時アク セス型記憶装置は、 記憶素子 1 ビッ トに - 対してそれぞれ 2本以上のァ ド レス制御線と入出力データ線とを 有し、 任意の了 ド レス制御線を介して独立にァ ド レス指定を行 、 上記了 ド レス制御線に対 する入出力データ線を付勢して記憶素 子にアクセスする。 このことによって、 複数の了 ドレスが同時に メ モ リ をアクセスできるので、 記憶装置のマルチ処理が可能と ¾ 0 [0032] 又、 本発明は、 前記入出力データ線が、 ゲー ト回路を介して相 互接続され、 読出されたデータを他の入力データとして記憶素子 に書込むことによって、 間接ア ド レス指定の場合であっても、 直 接 C P Uを介すことなく、 メモリからデータを得ることが可能と る。 [0033] 又.、 本発明は、 前記入出力データ線が、 他のア ドレス制御線に 接続され、 読出されたデータをァ ドレス として指定し記憶素子に i アク セスする。 このことによって、 記憶装置内でデータ転送が可 能とるる。 [0034] 図 面 の 簡 単 ¾ 説 明 [0035] 第 1図は従来の記憶装置の基本構成図、 第 2図は第 1図の記憶 [0036] 5装置の内部構成図、 第 3図は第 2図のフ リ ッブ · フロ ップ内部の 論理回路図、 第 4図は本発明の実施例を示す複数同時アク セス型 記憶装置の構成図、 第 5図は第 4図の記憶装置の内部構成図、 第 6図は第 5図のフ リ ッブ · フ ロ ッブ内部の論理回路図、 第 7図 , 第 8図はそれぞれ第 1の応用例を示す接続図、 第 9図は第 2の応 [0037] 10用例を示す接続図、 第 1 0図は第 3の応用例を示す接続図である。 [0038] 1 , 4 :記憶装置、 2 , 5 , 6 : Xデコーダ、 3 , 7 , 8 : Y デコーダ、 9 , 2 0 :第 1 ア ド レ ス線、 1 0 , 1 9 :第 2 ァ ド レ ス線、 2 1 :第 1の入出力データ線、 2 2 :第 2の入出力データ 線、 1 2 , 4 2 フリ ップ · フ口ップ、 4 3 =選択スイ ッチ、 [0039] is 1 1 , 4 1 :記憶素子。 [0040] 発明を実施するための最良の形態 [0041] 第 4図は、 本発明の実施例を示す複数同時アク セス型記憶装置 の構成図である。 [0042] 第 4図では、 それぞれ 2個ずつの Xデコーダ 5 , 6 , Υデコー [0043] 20 ダ 7 , 8、 Xア ド ス制御線 9 , 1 0 , Υ了 ドレス制御線 1 9 , [0044] 2 0 , および入出力データ線 2 1 , 2 2を有している。 [0045] 記憶装置 4は、 4 X 4 - 1 6 ビッ トの記憶素子を備え、 また入 出力データ線は 1 ビッ トずつの単極性、 つま ] 9複数のデータ線を 単独に備えている。 勿論、 3 2 ビッ ト、 6 4 ビッ トあるいはそれ 以上の記憶素子を備えた記憶装置と、 双極性、 つま ]3 2本のデー [0046] ί Ο ΡΙ i タ線を 1本で兼用した入出力デ—タ線にする'こともできる。 [0047] 第 4図では、 2本ずつのア ドレス制御線を用い、 並行して 2つ のァ ドレスを指定し、 同時に記憶素子にァクセスすることができ る-。 その場合、 それぞれ対応する入出力データ線がオンとな ])、 [0048] 5読取 D 書込み指定線によ 、 それぞれ入力または出力データの みが有効と ¾る。 [0049] そして、 指定された 2つの了 ドレスが異 る値であれば、 別個 の—入出力データ線を介して読出しまたは書込みを行うので何ら問 題が ¾い。 また、 指定された 2つの了 ドレスが同一であっても、 10雨方とも読出し、 あるいは一方が読出しであれば、 記憶内容は不 変であるため何ら問題は生じない。 しかし、 指定された 2つの了 ドレスが同一であ!)、 かつ両方とも書込みであって、 しかも異 つた値 "I 1* と "0 " の場合には、:書込み後の記億.内容が不確定と るため、 この状態を検出したときだけは書込みを阻止する必要が [0050] 15 ある。 [0051] 第 5図は、 第 4図の記憶装置の内部構成図である。 [0052] 1 6個の記憶素子 4 1が配置され、 各記憶素子 4 1は、 2本ず つの X方向ア ドレス線( Xi , ¾ ) と 方向ア ドレス線( ェ , Y2 )に接続されるとともに、 2本ずつの入出力データ線①②に 接続されている。 ¾お、 図示されて い読取 書込み制御線 の信号によ ]9入出力データ線①②をそれぞれ入力線ある は出力 線として用 る。 [0053] 各記憶素子 4 1内では、 第 1のァ ドレス指定で選択されたとき ア ンド · ゲー ト 4 5が開き、 第 2のァドレス指定で選択されたと 25 きア ン ド · ゲー ト 4 6が開き、 オア · ゲー ド 4 4を通ってフ リ ッ i ブ · フ口 ッブ 4 2を起動する。 同時に、 対応する読取 i9 書込み 制御線の指定によ!?フ リ ップ * フ ロ ッ ブ 4 2の記憶内容を入出力 データ線に読出すか、 あるいは入出力データ線の値をフリ ップ · フロッブ 4 2に書込む。 4 3は、 選択ス ィ ツチである。 [0054] 5 第 6図は、 第 5図のフリ ッブ * フロッブ内部の論理図である。 [0055] 第 1 のア ドレス指定によ ] ア ドレス X がア ン ド · ゲー ト [0056] 4 5に入力すると、 "1"の出力がオア · ゲー ト 4 4に送られ、 ま た第 2のァ ドレス指定によ .りァ ドレス Y2がア ン ド · ゲー ト [0057] 4 6に入力すると、 "1"の出力がオア · ゲー ト 4 4に送られる。 [0058] 10 したがって、 第 1のア ドレス指定のみ、 あるいは第 2のア ドレス [0059] 指定のみでこのフリ ッブ · フロ ッブ 4 2が選択されたときでも、 さらに第 1のァ ド レス と第 2の了 ド レスの両方の指定でこのフ リ ップ · フ口ップ 4 2が選択されたときでも、 全く同一の出力信号 '1"がオア · ゲー ト 4 4から送出され、 フ、リ ッブ ' フロッブ 4 2 の入力段ナン ド * ゲー ト 2 4 , 2 5に入力される。 フ リ ッ プ * フ ロッブ 4 2の内部構成は、 第 3図に示す従来の回路と同一であつ て、 各ナ ン ド, ゲー ト 2 4 , 2 5に入力する制御信号を選択する ス ィ ツチ 4 3が新たに付加されただけである。 ァ ドレス Υχ に よ!)フ リ ップ * フロ ップ 4 2が選択された場合、 対応する読取 ]9 [0060] 20ノ書込み制御線の内容によ 書込みが指定されたときには入力デ [0061] ータ I N DATA 1が有効と 、 出力デー タ OUT D AT A 1 が無効とるる。 また、 読取 が指定されたと きには、 出力データ OUT DATA 1が有効と 入力データ I N DATA 1が無 効となる。 [0062] 5 —方、 ア ドレス X2 Y2によってフ リ ッブ · フロッブ 4 2が選択 [0063] ΟΜ Ι i された場合、 書込みが指定されたときには、 入力データ I N DA TA 2が有効と ¾ D、 また読取 ] 3が指定されたときには、 出力デ —タ OUT DAT A 2が有効となる。 さらに、 了 ドレス と X2 Y2の両方によってフリ ップ * フ ロッブ 4 2が選択された場合、 [0064] 5それぞれ書込み指定のときには入力データ I N DAT A 1 , 2が、 読取 ])指定のときには出力データ 0 UT DATA 1 , 2が有効と なる。 [0065] 了—ドレス: ¾ Y1 と Χ2 Υ2の両方が書込みのとき、 および両方が 読取 irのときのフ リ ップ · フ口ッブ 4 2の動作は、 第 3図に示す0従来の回路と同一であるため、 説明を省略する。 また、 一方が読 取!)、 他方が読取り、 他方が書込みのときは、 書込み内容によ ナンド * ゲー ト 2 4 , 2 5の出力が '0" , "1- あるいは '1' ,,0, と ¾つてそれぞれ第 3図と同一動作でラツチ回路に -1" あるいは "0"が書込まれ、 同時にそれまで記憶されていたラツチ回路の内s容 "1, または "0'がナン ド · ゲー ト 2 8およびア ン ド · ゲー ト 3 7 , 3 8を経由して読出される。 [0066] 第 4図〜第 6図では、 2つの了 ド レス指定が可能 ¾場合を示し たが、 デコーダ、 ア ド レス制御線、 読取]) 書込み制御線をそれ それ 3以上設けることによ ] 、 任意の複数個のァ ド レス指定が可o能と る。 [0067] これによつて、 アク セス要求の待ち合わせが く るため、 デ ータ転送は高速化でき、 また記憶装置のマルチ処理が可能と ¾ U、 また入出力命令発行時のバッフ了転送等を C P Uのメイ ン処理か ら独立して行うことが可能とるる。 [0068] 5 次に、 本発明の応用例を説明する。 i 第 7図 , 第 8図はいずれも本発明の第 1の応用例を示す接続図 である。 [0069] 2つのア ドレス指定ができる場合、 第 7図に示すように、 デー タ線( D A T A 1 )の出力を直接ア ドレス線( A D D 2 :) にゲー [0070] 5 ト回路を介して接続するか、 あるいは第 8図に示すよ うに、 デー タ線( D A T A 2 :)の出力も直接ア ドレス線( AD D 1 )にゲー ト回路を介して接続する。 ただし、 データ線数の方が了 ドレス線 数よ ] 多いか等し ものとする。 データ線数の方がァ ドレス線数 よ 1)少¾ 場合には、 ページ · レジスタ等によるァ ドレスの補足 [0071] 1 設定が必要と ¾る。 [0072] ' 第 7図 , 第 8図では、 間接ア ドレス指定の場合であっても、 直 接 C P ϋを介すことなく、 メモリからデータを得ることができる。 すなわち、 間接命令では、 先ず操作を行うア ドレス部が格納され ている記憶場所を指定し、 次にその内容を解釈してア ドレスと し て使用するので、 C P ϋにおいて途中の処理が必要であるが、 本 発明では、 第 1のァ ドレスで読出されたデータの内容を瞬間的に 第 2のァ ドレスと してメ モ リ をアクセスするので、 C Ρ ϋの処理 は不要であ ]?、 高速アクセスが可能である。 第 7図では、 了 ドレ ス ( A D D 1 ) で間接ア ドレス (該当データの先頭番地のァ ドレ [0073] 0 スが格納されている番地のァ ドレス ) を設定し、 読取 D命令( R [0074] /W 1 ) を出すことによ ]9、 ア ドレス ( A D D 1 :)に該当するデ ータ ( D A T A 1 ) が直接ァ ドレス ( A DD 2 ) と して設定され る。 ア ドレス ( A D D 2 ;)で指定されたデータ ( D A T A 2 )が 所望のデータである。 お、 選択信号( S E L )を " 0" にしたと [0075] 5 きには、 別に設定された第 2了 ドレス ( A D D 2 :)によ 1 了クセ f OMPI i スするが、 選択信号( S E L ) を "1 " にしたときには、 設定され た第 2ア ド レス ( A D D 2 )は阻止され、 データ ( D A T A 1 ) がそのままゲー ト回路を通つ.てァ ドレスと 、 メ モ リを了クセ スする。 点線の矢印は、 複数ビッ トのデータ ( D A T A 1 )を、 5すべて了 ドレスとして使う場合である。 [0076] 第 9図は、 本発明の第 2の応用例を示す接続図である。 [0077] 第 9図では、 データ線( D A T A 1 ) と他のデータ線( D A T A 2 )を、 ゲー ト回路( S W )を介して接続することによ ] 、 デ ータ転送を C P ϋを介すること ¾く、 直接的に行う。 するわち、0第 1了 ドレス ( A D D 1 )で読取 ]9 ( R/W 1 ) を指定するとと もに、 第 2ア ドレス ( A D D 2 )で書込み( RZW 2 )を指定し、 制御信号( C N T )によ ]3ゲー ト回路( S W )を開けば、 データ 線( D A T A 1 )で読出されたデータがゲー ト回路( S W )を通 つてデータ線( D A T A 2 :)に入力され、 そのまま第 2ア ド レスs ( A D D 2 )の番地に書込まれる。 これによ ])、 記憶装置内でデ 一タ転送が可能と る。 制御信号( C N T )によ 1 ゲー ト回路 ( SW ) を閉じておけば、 通常の複数同時並行アクセスが行われ o [0078] 第 1 0図は、 本発明の第 3の応用例を示す接続図である。 [0079] 0 第 1 0図は、 第 8図と第 9図の応用例を複合化したものである。 ア ド レス ( A D D 1 ) とア ドレス ( A D D 2 )は、 外部から指定 される了 ドレス線であ 1 、— ア ド レス ( A D D 3 ) とア ド レス ( A D D 4 :)は、 それぞれデータ鎳( D 1 ) とデータ線( D 2 )で読 出された内容をそのままァ ドレスと して指定する了 ドレス線であ5 、 読取] /書込みの指定は制御線( RZW 1 , R/W 2 , Ή,/ i W 3 , R/W4 ) で行われる。 スィ ッチ ( S'l :)はデータ線( D 1 ) とデータ線( D 3 ) を結合し、 またスィ ッチ ( S 2 )はデー タ線( D 2 ) とデータ線( D 4 ) を結合するもので、 データ線を 結合しるいときには、 データ線間( D 1 と D 3および D 2と D 4) 5 の選択切替を行ってスィ ツチ( S 3 :) を介し、 外部と接続する。 また、 スィ ッ チ ( S 3 )は、 デー タ線( D 1 ) とデー タ線( D 2 または D 4 )、 データ線( D 3 ) とデータ線( D 2または D 4 ) とを、 それぞれ結合するものである。 [0080] これによ .り、 例えばデータ線( D 1 ) で読出した内容を了 ド レ 10 ス ( A D D 3 ) と して書込みを行う とともに、 データ線( D 4 ) で読出した内 §をスィ ッチ ( S 2 :)を介してデー タ線( D 2 :) に 入力し、 ア ド レス ( A D D 2 )に書込み指定( RZW 2 ) を行つ て、 そのまま書込む等の記憶装置のマルチ処理が可能と る。 [0081] お、 この場合、 各ァド レス線は( A D D 1 :)が 0〜 7 ビッ ト、 ( A D D 2 )が 0〜 5 ビッ ト等、 同一である必要はる く、 また各 データ線も同一ビッ トで くても よい。 さらに、 記憶装置は、 1 チップのメ モ リ であつても、 複数チップのメモ リ であっても差支 えない。 また、 データ線は、 双方向線として説明したが、 単方向 線でも勿論よ く、 さらに、 各応用例ではデータ線等を 2本で説明o したが、 3本以上でも可能である。 記憶装置は、 RAMや R OM を向わない。 お、 R OMの場合、 読取]) /書込み制御線ゃデー タ入力線が ¾ぃため、 回路の簡単化が可能と ])、 また同一番地 を複数の了 ド レス線が指定した際の処理が一切不要と ¾る。 また、 複数のァ ドレス線は、 必ずしも記憶装置全体の番地を指定でき ¾5 く てもよ 。 例えば、 2本の了 ドレス線 A , Bがあ 1 、 メ モ リ全 i—体で 1 2 8バイ ト とすると、 Aは 0〜 1 2 8番地を指定できるが、 Bは 1 1〜 4 2番地しか指定でき くても よい。 この場合、 ' B O 了 ドレス線数が減少したことによ 回路が箇単化され、 かつメモ リ全体で必要る番地だけを重複して了クセスさせることができる。 [0082] 5 以上説明したよ うに、 本発明によれば、 複数の了 ドレスが同時 にメモリ をアク セスできるので、 記憶装置のマルチ処理およびデ 一タ転送の高速化が可能とな ] 、 かつ入出力装置によるバッ ファ 転送を C P IJのメイ ン処理から独立して行うことも可能とるる。
权利要求:
Claimsl 請 求 の 範 囲' 1. 記憶素子 1 ,ビッ トに対して、 それぞれ 2本以上のァ ドレス 制御線と入出力データ線とを有し、 任意のァ ド レス制御線によ ] それぞれ独立にア ド レス指定を行 、 上記ア ド レス制御線に対応 する入出力データ線を付勢して記憶素子にアク セスすることを特 徵とする複数同時アク セス型記憶装置。 2. - 前記入出力データ線は、 他のア ド レス制御線に接続され、 読出されたデータをァ ドレス として指定し記憶素子にアクセスす ることを特徵とする特許請求の範囲第 1項記載の複数同時ァク セ ス型記憶装置。 3. 前記入出力データ凝は、 ゲー ト回路を介して相互接続され、 読出されたデータを他の入力データと して記憶素子に書込むこと を特徵とする特許請求の範囲第 1項または第 2項記載の複数同時 ァク セス型記憶装置。 O PI > W WIIPPOO ATlO
类似技术:
公开号 | 公开日 | 专利标题 US5375089A|1994-12-20|Plural port memory system utilizing a memory having a read port and a write port US5808958A|1998-09-15|Random access memory with latency arranged for operating synchronously with a micro processor and a system including a data processor, a synchronous DRAM, a peripheral device, and a system clock US5352940A|1994-10-04|Ram convertible look-up table based macrocell for PLDs JP4018159B2|2007-12-05|半導体集積回路 US4852083A|1989-07-25|Digital crossbar switch US4839866A|1989-06-13|Cascadable first-in, first-out memory US5097442A|1992-03-17|Programmable depth first-in, first-out memory US7694077B2|2010-04-06|Multi-port integrated cache US6567969B1|2003-05-20|Configurable logic array including lookup table means for generating functions of different numbers of input terms US4823259A|1989-04-18|High speed buffer store arrangement for quick wide transfer of data US4532606A|1985-07-30|Content addressable memory cell with shift capability US5051889A|1991-09-24|Page interleaved memory access EP0582660B1|1997-08-13|Device and method for multiplexing pins for in-system programming US4600986A|1986-07-15|Pipelined split stack with high performance interleaved decode DE4417575C2|1996-02-01|Verbesserte Array-Architektur für programmierbare logische Zellen US7209405B2|2007-04-24|Memory device and method having multiple internal data buses and memory bank interleaving JP3106998B2|2000-11-06|メモリ付加型プログラマブルロジックlsi US5909125A|1999-06-01|FPGA using RAM control signal lines as routing or logic resources after configuration DE3438869C2|1989-12-14| US3820078A|1974-06-25|Multi-level storage system having a buffer store with variable mapping modes EP0263924B1|1993-11-03|On-chip bit reordering structure US5508968A|1996-04-16|Dynamic random access memory persistent page implemented as processor register sets US5287472A|1994-02-15|Memory system using linear array wafer scale integration architecture US5802003A|1998-09-01|System for implementing write, initialization, and reset in a memory array using a single cell write port US3287702A|1966-11-22|Computer control
同族专利:
公开号 | 公开日 JPS5998365A|1984-06-06| US4656614A|1987-04-07|
引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题 JPS5368523A|1976-11-26|1978-06-19|Motorola Inc|Random access memory element having double ports| JPS53102635A|1977-02-18|1978-09-07|Sanyo Electric Co Ltd|Access system for memory unit| JPS5593588A|1979-01-02|1980-07-16|Ibm|Memory array|EP0178163A2|1984-10-10|1986-04-16|Advanced Micro Devices, Inc.|A dual access digital storage device| EP0180467A2|1984-10-31|1986-05-07|Advanced Micro Devices, Inc.|Dual-access read/write digital storage device|US4287575A|1979-12-28|1981-09-01|International Business Machines Corporation|High speed high density, multi-port random access memory cell| US4488264A|1982-06-10|1984-12-11|Dshkhunian Valery|Transistor storage|JPH041955B2|1984-08-03|1992-01-14|Tokyo Shibaura Electric Co|| US5165039A|1986-03-28|1992-11-17|Texas Instruments Incorporated|Register file for bit slice processor with simultaneous accessing of plural memory array cells| US5237532A|1986-06-30|1993-08-17|Kabushiki Kaisha Toshiba|Serially-accessed type memory device for providing an interleaved data read operation| EP0257987B1|1986-08-22|1991-11-06|Fujitsu Limited|Semiconductor memory device| US5265045A|1986-10-31|1993-11-23|Hitachi, Ltd.|Semiconductor integrated circuit device with built-in memory circuit group| JPS63225991A|1987-03-16|1988-09-20|Akita Denshi Kk|Semiconductor memory device| JPH0612609B2|1987-03-27|1994-02-16|株式会社東芝|半導体メモリ| US4833649A|1987-09-08|1989-05-23|Tektronix, Inc.|Multiple port random access memory| US5175839A|1987-12-24|1992-12-29|Fujitsu Limited|Storage control system in a computer system for double-writing| WO1989011129A1|1988-05-10|1989-11-16|Cray Research, Inc.|Vector tailgating in computers with vector registers| DE3835116A1|1988-10-14|1990-04-19|Siemens Ag|Adressverstaerkerschaltung mit selbstverriegelung und sicherung gegen mehrfachadressierung zur verwendung in statischen gaas-rams| US5142638A|1989-02-07|1992-08-25|Cray Research, Inc.|Apparatus for sharing memory in a multiprocessor system| US4992980A|1989-08-07|1991-02-12|Intel Corporation|Novel architecture for virtual ground high-density EPROMS| US5115411A|1990-06-06|1992-05-19|Ncr Corporation|Dual port memory system| US5213421A|1991-02-15|1993-05-25|Ide Russell D|Vacuum belt drive train and bearing therefor| JPH06250931A|1993-02-26|1994-09-09|Mitsubishi Electric Corp|情報処理装置| JPH07210445A|1994-01-20|1995-08-11|Mitsubishi Electric Corp|半導体記憶装置およびコンピュータ| US6067255A|1997-07-03|2000-05-23|Samsung Electronics Co., Ltd.|Merged memory and logicintegrated circuits including independent memory bank signals and methods|
法律状态:
1984-06-07| AK| Designated states|Designated state(s): AU BR SU US | 1984-06-07| AL| Designated countries for regional patents|Designated state(s): DE FR GB NL |
优先权:
[返回顶部]
申请号 | 申请日 | 专利标题 JP57208303A|JPS5998365A|1982-11-27|1982-11-27|Plural simultaneous access type storage device|AU22689/83A| AU2268983A|1982-11-27|1983-11-24|| 相关专利
Sulfonates, polymers, resist compositions and patterning process
Washing machine
Washing machine
Device for fixture finishing and tension adjusting of membrane
Structure for Equipping Band in a Plane Cathode Ray Tube
Process for preparation of 7 alpha-carboxyl 9, 11-epoxy steroids and intermediates useful therein an
国家/地区
|